晶体管的名称属性—IGBT和MCT igbt门极驱动电流

总的来说，晶体管可以划分为两类：双极型晶体管(BT)和场效应晶体管(FET)。它们的基本特点分别是：双极型晶体管是两种载流子都参与工作的器件，通过的电流主要是少数载流子的扩散电流，是电流控制的器件，BJT和可控硅等晶闸管都是典型的双极型晶体管;场效应晶体管是一种载流子——多数载流子工作的器件，通过的电流主要是多数载流子的漂移电流，是电压控制的器件，JFET、MESFET、HEMT、MOSFET都是典型的场效应晶体管。

但是有的晶体管，例如IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和MCT(MOS栅控制晶闸管)，单只从名称上来看，似乎有些矛盾，它们既不是双极型晶体管，又不是场效应晶体管，它们究竟属于什么性质的晶体管呢?——这需要从其工作机理上来考虑，才能很好地理解：

①IGBT(绝缘栅双极型晶体管)：是栅极电压控制的器件，工作的电流主要是通过沟道的多数载流子电流，故从这一点上来看，IGBT是一种场效应晶体管;不过其中有少数载流子参与工作，这必将影响到晶体管的性能，只是少数载流子对于晶体管的电流不起主要作用，故又不能说IGBT完全是一种场效应晶体管，即其中含有一定的双极型晶体管功能。从而可以说，IGBT是场效应晶体管和双极型晶体管复合的一种器件，但是在本质上IGBT仍然是一种场效应晶体管。正因为IGBT的这种本质特点，所以在使用IGBT时就需要避免其中出现较大少数载流子电流通过的现象，即要避免其中晶闸管导通，以免产生所谓闩锁效应，为此，IGBT就存在一个最大工作电流——擎住电流。

②MCT(MOS栅控制晶闸管)：是栅极电压控制的器件，工作的电流主要是晶闸管的电流，其中较小的沟道电流主要是起着激发晶闸管导通或者关断的作用。因此MCT在本质上是一种双极型晶体管——晶闸管，类似于GTO(栅极可关断的晶体管);不过其中有通过沟道的多数载流子电流参与工作，所以MCT也是一种双极型晶体管和场效应晶体管的复合器件。所以，在大功率特性上，双极型性的MCT要高于场效应性的IGBT;但在制作工艺上，为了提高栅极的控制能力，MCT的难度要大一些。

igbt门极驱动电流

IGBT驱动电流即为门极电流，门极电压和发射极、集电极之间通过的电流关系如下图（Vfm为门极电压，IGBT是电压控制元件）：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT是电压控制元件，IGCT才是电流控制元件。 (责任编辑：admin)

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